삼성, 2nm, 3nm, 4nm 칩 제조 언제 시작하나 공개

삼성은 마침내 2nm, 3nm, 4nm 제조 기술을 기반으로 한 반도체 칩의 대량 생산 계획을 발표했다. 이 발표는 삼성 파운드리 포럼 2021 행사의 일환으로 이루어졌다. 세계에서 가장 큰 메모리 칩 브랜드는 특히 COVID-19 대유행 이후 수요가 많은 더 빠르고 효율적인 칩을 위해 공정 기술을 계속 이전할 것이라고 밝혔다.

한국 회사는 이미 4nm 공정에 기반한 칩의 대량 생산을 시작했다고 말했다. 삼성파운드리도 3nm 기반 반도체 칩 양산을 2022년 상반기에 시작한다고 밝혔다. 이 회사의 3nm 공정은 MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET)를 적용한 GAA(Gate All Around) 설계를 채택해 5nm EUV 공정에 비해 최대 35%, 30% 높은 성능, 50% 낮은 전력 소비량을 자랑합니다.

이 회사는 또한 3nm 공정의 수율이 이미 4nm 수준에 육박하고 있다고 밝혔다. 삼성의 2세대 3nm 공정은 2023년쯤 대량생산을 위해 준비될 것이다. 삼성은 최근 2nm 공정 노드를 로드맵에 추가했으며 현재 개발 중이라고 말했다. 그 회사는 2025년에 2nm 칩의 대량 생산을 시작할 것으로 기대하고 있다. 삼성이 2nm 공정에 대해 언급하는 것은 이번이 처음이며, 3nm 공정 노드의 최적화된 버전처럼 보인다.

 

이 회사는 또한 핀펫 공정 노드를 지속적으로 개선하고 있다고 밝혔다. 17nm FinFET 프로세스 노드는 다이 면적에서 최대 43% 감소, 성능 39% 또는 전력 효율 49%의 3D 트랜지스터 아키텍처를 사용합니다. 삼성은 또한 3으로 14나노미터 공정을 개선하고 있다.쓰기 속도 및 밀도 향상을 위한 3V 고전압 또는 eMRAM. 사물인터넷(IoT), 마이크로컨트롤러유닛(MCU), 웨어러블 칩 등을 만들 수 있다.

8nm RF(Radio Frequency) 플랫폼은 6GHz 이하와 mmWave 애플리케이션 분야에서 5G 시장에서의 리더십을 확장할 수 있다.

삼성전자 파운드리사업본부장 최시영 박사는 "실리콘 규모를 한 단계 더 키워 애플리케이션별 기술 혁신을 지속하면서 전체 생산능력을 높이고 첨단 기술을 선도할 것"이라고 말했다. COVID-19 대유행으로 인해 디지털화가 가속화되고 있는 가운데, 고객과 파트너는 적절한 기술을 적시에 제공할 수 있는 실리콘 구현의 무한한 잠재력을 발견할 것입니다."

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